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閃存（U盤）20nm制程研發(fā)成功,U盤將引發(fā)革命性的發(fā)展機(jī)遇。
5月3日消息 近日Intel和美光爆出猛料：20nm制程研發(fā)成功，這將對(duì)于整個(gè)閃存（U盤）乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生巨大的刺激。
兩大巨頭推出的全新20納米制程8GB NAND設(shè)備尺寸僅為118平方毫米，它是NAND制程和技術(shù)設(shè)計(jì)上的一次重大突破.由于該技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠幫助晶圓工廠增加約50%的產(chǎn)品容量，因此將NAND光刻技術(shù)升級(jí)為這一全新技術(shù)是提高晶圓工廠產(chǎn)量的一種最為經(jīng)濟(jì)高效的方法，而且全新20納米NAND制程技術(shù)還保持了與前一代25納米NAND制程技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅芎湍陀眯浴?/p>
20納米制程8GB設(shè)備目前尚處于樣品階段，它有望于2011年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。英特爾和美光還希望屆時(shí)推出一款16GB設(shè)備的樣品，它可在一個(gè)比美國郵票還小的單個(gè)固態(tài)存儲(chǔ)解決方案中提供高達(dá)128GB的存儲(chǔ)容量。如果海量U盤的出現(xiàn)，對(duì)移動(dòng)硬盤市場的沖擊將是不可想像的，U盤將迎來一個(gè)全新的時(shí)代機(jī)遇。本U盤廠家生產(chǎn)的U盤品質(zhì)卓越，5年保修。
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