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閃存（U盤）20nm制程研發成功,U盤將引發革命性的發展機遇。
5月3日消息 近日Intel和美光爆出猛料：20nm制程研發成功，這將對于整個閃存（U盤）乃至半導體產業產生巨大的刺激。
兩大巨頭推出的全新20納米制程8GB NAND設備尺寸僅為118平方毫米，它是NAND制程和技術設計上的一次重大突破.由于該技術與現有技術相比能夠幫助晶圓工廠增加約50%的產品容量，因此將NAND光刻技術升級為這一全新技術是提高晶圓工廠產量的一種最為經濟高效的方法，而且全新20納米NAND制程技術還保持了與前一代25納米NAND制程技術相當的性能和耐用性。
20納米制程8GB設備目前尚處于樣品階段，它有望于2011年下半年進入量產階段。英特爾和美光還希望屆時推出一款16GB設備的樣品，它可在一個比美國郵票還小的單個固態存儲解決方案中提供高達128GB的存儲容量。如果海量U盤的出現，對移動硬盤市場的沖擊將是不可想像的，U盤將迎來一個全新的時代機遇。本U盤廠家生產的U盤品質卓越，5年保修。
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