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三星電子全球首發(fā)DDR2.0接口64GB MLC閃存
三星電子今天宣布，公司已經(jīng)開始生產(chǎn)全球首批高速toggle DDR 2.0接口MLC閃存芯片，容量為64Gb（8GB），使用20nm級(jí)工藝制造,些舉將會(huì)帶來(lái)閃存芯片上的新的革命。
2010年7月，三星和東芝宣布共同推動(dòng)Toggle DDR 2.0接口成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。新接口可以將閃存讀寫帶寬提高到400Mbps，而DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)為133Mbps，普通SDR NAND閃存僅為40Mbps。
此次宣布的新閃存正是應(yīng)用該接口的首批產(chǎn)品，主要針對(duì)高端智能手機(jī)、平板機(jī)和固態(tài)硬盤。三星高層表示，高速新接口的應(yīng)用將讓新的MLC閃存更好的滿足4代智能手機(jī)、SATA 6Gbps固態(tài)硬盤以及USB 3.0產(chǎn)品的需求。
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