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論9月內存價格為何逆市反彈 (圖).........2011-09-20

半個月前曾有單條4G內存將跌破100元(相關文章:單條4G或將跌破100)的消息流出,不過近期的內存行情并未向我們預計的那樣發展。就在大家一片看跌的時候,本周內存價格悄悄出現了反彈,并且連續四天上揚近10%。縱觀2011年,跌一直都是內存價格的關鍵詞,單條2G從年初的150元到如今的75元,跌幅已然100%。來到9月份內存價格的跌勢卻逐漸放緩,更似乎有企穩之勢,內存價格難道真的是到了跌無可跌的地步嗎?

根據集邦調查顯示,由于近期買氣回暖,從8月23日開始內存顆粒價格開始小幅上漲,隨后一周再次進行下行區間。隨著開學臨近學生返校,學生裝機潮拉動內存需求,同時9月10-12日的中秋假期重疊,更是原本低迷的內存市場拉至一個小高峰。

內存現貨價全線上漲

受到日系以及多家臺系內存顆粒廠商的減產效應影響,現貨市場陸續出現價格反彈走勢,價格上揚雖不過短短數天,但已顯現供應端減產效應所帶動的價格支撐,讓低迷已久的現貨價格出現反彈的契機。目前以DDR3 2Gb顆粒來計算,內存顆粒單價的合約價同現貨價差價已經縮小至12%,DRAM廠莫不冀望能借著旺季需求,把這波現貨價格的反彈反應至合約市場中,終止嚴峻的合約價格走勢。

影響因素一:廠商減產自救初現成效

  日本大廠爾必達近日宣布,因應日圓兌美元匯率攀升,近年來DRAM價格急速下跌,該公司面臨嚴苛經營環境,考慮將日本廣島工廠部分產能,分階段轉移到成本競爭力較高的臺灣子公司瑞晶電子生產力晶8日宣布PC DRAM投片量將減少50%,減產幅度約4萬片,總產能減產幅度約30%。南亞科也傳出減產幅度擴大至20%,而華亞科也加入減產行列,整體減少產能約5~10%,減少部分主要是南亞科的產能。

  這一系列的廠商減產直接導致了庫存消化回補,帶動DRAM價格跌深反彈。不僅如此,DRAM現貨價回升,合約價跌幅趨緩,令各大內存顆粒廠商的股價也相繼漲停。臺系DRAM廠制程工藝落后率先減產,面臨經營困境,產能轉移有助降低成本,對消化庫存也有幫助;在市場不景氣,技術轉型期間減少產能,有助DRAM市況供給改善。

  但仔細分析就能發現,這次減產風波涉及的廠商多為臺系廠商,生產工藝多為40-60nm,生產成本早已高過DDR3 2GB合約價最低10.5美元價位,減產勢在必行。而三星和海力士擁有20-30nm的制程工藝,在2季度仍有盈利率,相對其他競爭對手都出現大規模赤字,這兩家企業都表示沒有減產。

影響因素之二:內存更新換代 2G DDR3-1333抬價離場

  能否優先導入先進制程已經成為各內存廠家獲利關鍵,從早期一個制程技術可以沿用一年甚至兩年的周期,轉為現今一年橫跨兩個制程技術,時至今日,各廠仍積極轉進40nm甚至30nm制程,雖然每一個制程技術可以較前代技術增加20%-30%產出量,但提升良率的穩定度卻日益困難,40nm制程質量問題頻傳,一再挑戰DRAM廠30nm制程后的研發技術能力。

  三星預計20nm制程預計下半年正式導入量產,30nm良率亦達到成熟穩定的階段,成本上的優勢亦讓三星暫無任何減產的考慮,持續擴大DRAM產業市占率的目標不變。因此在最新的內存廠家營收榜單上三星位居榜首。

 

  但30nm的內存條卻遲遲不能在市場上普及,究其原因無非市面上的40-60nm的內存(多為DDR3-1333內存)存貨依舊很多,要先清完市場上的存貨,為新工藝產品讓路。但之前的降價,讓高價囤貨的商家無利可圖,因此在40-60nm內存退市前,利用減產新聞帶來的影響,抬高內存價格緩和損失。

  總結:所以綜合來看,這一波內存漲價的成因無非以上兩點。技術落后的內存顆粒廠家試圖通過減產來改善市場內的供求關系,前段時間高價囤貨的商家經過低價抄底后試圖在抬高價格降低損失,均是人為控制或者炒作所致。因此作為普通消費者,完全沒有必要為這種行為買單。

  最后補上一條消息,三星已經在日本秋葉原出貨8GB單條內存,而部分Intel主板已經支持單條8G內存。主流單條內存容量恐怕是要從2G、4G進化成4G、8G了,可見2G內存最后的日子亦不多矣。

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